Dekri teren
Karakteristik teknik
Espesifikasyon teknik
|
Fabrike |
Abb |
|
Modèl |
5SHY3545L0009 |
| Nimewo pati | 3BHB013085R0001 |
|
Deskripsyon |
Modil IGCT |
|
Orijin |
Swis |
|
Dimansyon |
45*30*10cm |
|
Pwa |
3kg |
Detay pwodwi yo
ABB 5SHY3545L0009 Modil Plant lan se yon pòtay entegre - Commutated Thyristor (IGCT) modil, yon segondè - vòltaj pouvwa elektwonik aparèy.
Karakteristik:
Gwo dansite pouvwa: itilize avanse bato IGCT reyalize dansite pouvwa segondè ak diminye gwosè modil.
Vit oblije chanje: nanosekond vitès oblije chanje amelyore sistèm repons dinamik.
Segondè fyab: kontwòl kalite solid ak tès fyab asire operasyon modil ki estab nan anviwònman piman bouk.
Ba sou - eta vòltaj gout: diminye pèt pouvwa ak amelyore efikasite sistèm lan.
Ekselan konpatibilite elektwomayetik: teknoloji avanse anbalaj ak konsepsyon sikwi minimize entèferans elektwomayetik.
Karakteristik:
Gwo dansite pouvwa: itilize avanse bato IGCT reyalize dansite pouvwa segondè ak diminye gwosè modil.
Vit oblije chanje: nanosekond vitès oblije chanje amelyore sistèm repons dinamik.
Segondè fyab: kontwòl kalite solid ak tès fyab asire operasyon modil ki estab nan anviwònman piman bouk.
Ba sou - eta vòltaj gout: diminye pèt pouvwa ak amelyore efikasite sistèm lan.
Ekselan konpatibilite elektwomayetik: teknoloji avanse anbalaj ak konsepsyon sikwi minimize entèferans elektwomayetik.
Modil IGCT soti nan diferan mak varye nan pèfòmans:
1. Infineon
Infineon se yon lidè nan teknoloji semi -conducteurs pouvwa. Modil IGCT li yo gen anpil chans itilize avanse Tranch Gate jaden sispann (tranche FS) teknoloji, ofri pèt kondiksyon ki ba ak gwo potansyèl pou oblije chanje frekans. Pou egzanp, kèk Infineon IGBT modil montre ki ba pèt oblije chanje nan mwayen a frekans segondè oblije chanje (egzanp, pi gran pase 10kHz). Itilizasyon anpil yo nan teknoloji avanse entè -konekte, tankou.xt tou mete aksan sou pouvwa kapasite monte bisiklèt ak disponiblite, patikilyèman nan segondè - aplikasyon pou tanperati. Pandan ke done pèfòmans espesifik pou modil IGCT Infineon a se disponib, yo bay anpil eksperyans yo nan semi -kondiktè pouvwa, se pèfòmans yo espere yo dwe ekselan.
2. Mitsubishi
Mitsubishi espesyalize nan Teknoloji Tranch Tranch Tranch Tranch Tranch (CSTBT ™), ki optimize balans ki genyen ant pèt oblije chanje ak sou - eta vòltaj gout (VCE (SAT)). Pou egzanp, Mitsubishi a 1200V/137A modil IGBT diminye vòltaj saturation li yo (VCE (SAT)) nan 1.02V san yo pa konpwomèt reziste vòltaj pa ajoute yon "kouch depo konpayi asirans" ant N - tanpon ak P - Collector. Modil IGCT li yo gen anpil chans eritye yon menm jan an ki ba sou - Eta Voltage Advantage gout, ede diminye pèt kondiksyon pandan rated operasyon aktyèl ak amelyore efikasite sistèm an jeneral.
3. ABB
Èske ou ta ka pran ABB a 5SHY4045L0006 Modil kòm yon egzanp? Sa a se yon IGCT High - kat varyateur vòltaj. Li itilize yon segondè - vitès processeur chip ki kapab rapidman trete gwo kantite done ak lojik kontwòl, asire reyèl - tan sistèm estabilite. Li te tou karakteristik gwo - memwa kapasite, sipòte pwotokòl kominikasyon miltip ak interfaces, epi li ofri karakteristik pwoteksyon tankou survirent, overvoltage, ak undervoltage, ki kapab lakòz yon pèfòmans ekselan.
1. Infineon
Infineon se yon lidè nan teknoloji semi -conducteurs pouvwa. Modil IGCT li yo gen anpil chans itilize avanse Tranch Gate jaden sispann (tranche FS) teknoloji, ofri pèt kondiksyon ki ba ak gwo potansyèl pou oblije chanje frekans. Pou egzanp, kèk Infineon IGBT modil montre ki ba pèt oblije chanje nan mwayen a frekans segondè oblije chanje (egzanp, pi gran pase 10kHz). Itilizasyon anpil yo nan teknoloji avanse entè -konekte, tankou.xt tou mete aksan sou pouvwa kapasite monte bisiklèt ak disponiblite, patikilyèman nan segondè - aplikasyon pou tanperati. Pandan ke done pèfòmans espesifik pou modil IGCT Infineon a se disponib, yo bay anpil eksperyans yo nan semi -kondiktè pouvwa, se pèfòmans yo espere yo dwe ekselan.
2. Mitsubishi
Mitsubishi espesyalize nan Teknoloji Tranch Tranch Tranch Tranch Tranch (CSTBT ™), ki optimize balans ki genyen ant pèt oblije chanje ak sou - eta vòltaj gout (VCE (SAT)). Pou egzanp, Mitsubishi a 1200V/137A modil IGBT diminye vòltaj saturation li yo (VCE (SAT)) nan 1.02V san yo pa konpwomèt reziste vòltaj pa ajoute yon "kouch depo konpayi asirans" ant N - tanpon ak P - Collector. Modil IGCT li yo gen anpil chans eritye yon menm jan an ki ba sou - Eta Voltage Advantage gout, ede diminye pèt kondiksyon pandan rated operasyon aktyèl ak amelyore efikasite sistèm an jeneral.
3. ABB
Èske ou ta ka pran ABB a 5SHY4045L0006 Modil kòm yon egzanp? Sa a se yon IGCT High - kat varyateur vòltaj. Li itilize yon segondè - vitès processeur chip ki kapab rapidman trete gwo kantite done ak lojik kontwòl, asire reyèl - tan sistèm estabilite. Li te tou karakteristik gwo - memwa kapasite, sipòte pwotokòl kominikasyon miltip ak interfaces, epi li ofri karakteristik pwoteksyon tankou survirent, overvoltage, ak undervoltage, ki kapab lakòz yon pèfòmans ekselan.